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超凈高純試劑與IC技術發展的關系?

2014年10月16日
    集成電路(IC)技術分為前工序和后工序,前工序是指芯片的微細加工制作過程,主要包括薄膜生長、圖形轉移、摻雜和溫度處理等四項基本操作;后工序主要是指芯片的封裝處理過程。其中,超凈高純試劑作為集成電路用關鍵性化工材料主要用于前工序。

隨著IC存儲量的逐漸增大,儲存器電池的蓄電量需要盡可能的增大,因此氧化膜變得更薄。而超凈高純試劑的堿金屬雜質(Na、Ca等)會溶進氧化膜中,從而導致耐絕緣電壓下降。超凈高純試劑中的重金屬雜質(Cu、Fe、Cr、Ag等)若附著在硅晶片的表面上時,將會使P-N節耐電壓降低。雜質分子或離子的附著又是造成腐蝕或漏電等化學故障的主要原因。因此,隨著微電子技術的飛速發展,對超凈高純試劑的要求也越來越高,不同級別超凈高純試劑的金屬及非金屬雜質和顆粒的含量要求各不相同,從而配套于不同線寬的IC工藝技術,即一代IC產品需要一代超凈高純試劑與之配套。

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來源:韶關高科祥高新材料有限公司
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